Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ494DP
SIJ494DP-T1-GE3 Hakkında
SIJ494DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilim ve 36.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 23.2mOhm maksimum on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 69.4W güç dağıtım kapasitesi sayesinde anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1070 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok