Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ478DP
SIJ478DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIJ478DP-T1-GE3, 80V 60A N-channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu FET, maksimum 8mΩ RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. 54nC kapı yükü ve 1855pF giriş kapasitanı ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5W (Ta) ve 62.5W (Tc) güç disipasyon kapasitesiyle verimli enerji işleme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1855 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok