Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ470DP
SIJ470DP-T1-GE3 Hakkında
SIJ470DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source geriliminde 58.8A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük 9.1mΩ on-resistance değeriyle (10V gate geriliminde) güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleri (2050pF @ 50V) ile motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 56nC gate yüküyle düşük sürücü gücü gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok