Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ462ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ462ADP
SIJ462ADP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIJ462ADP-T1-GE3, N-kanal MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim derecesi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 15.8A sürekli drain akımı taşıyabilir. Tc koşullarında 39.3A'ye kadar kapasitesi vardır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulmuştur. 7.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 30nC (10V) olup hızlı anahtarlama uygulamalarına uyumludur. -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Elektrik devre tasarımı, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta), 39.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1235 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok