Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ458DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ458DP
SIJ458DP-T1-GE3 Hakkında
SIJ458DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 2.2mΩ (10V, 20A koşullarında) on-direnci sayesinde verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 122nC maksimum gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4810 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok