Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ450DP-T1-GE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ450DP
SIJ450DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIJ450DP-T1-GE3, 45V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 36A sürekli drain akımı (Ta) ve 113A kapasite (Tc) ile tasarlanmış olup, 1.9mOhm maksimum on-state direnç değerine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, elektrik güç yönetimi sistemlerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işletim yapabilen transistör, 4.8W (Ta) / 48W (Tc) güç tüketimi özellikleriyle endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 113A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5920 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok