Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ438ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ438ADP
SIJ438ADP-T1-GE3 Hakkında
SIJ438ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 169A (Tc) sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montajı paketinde sunulan bileşen, 1.35mOhm düşük on-direnç (Rds On) ve 162nC gate yükü ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, güç dönüştürme, motor kontrol, değiştirici devreler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5W (Ta) ve 69.4W (Tc) güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45.3A (Ta), 169A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok