Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ188DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ188DP
SIJ188DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIJ188DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss), 25.5A sürekli akım (Ta) ve 92.4A akım (Tc) kapasitesi ile tasarlanmıştır. 3.85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket türüne sahip olup, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Yüksek hız anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.5A (Ta), 92.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1920 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.85mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok