Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ186DP
SIJ186DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIJ186DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 23A (Ta)/79.4A (Tc) sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket türünde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Düşük kapı yükü (37nC) ve 3.6V eşik gerilimi sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, yüksek akım anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 79.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok