Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJ150DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJ150DP
SIJ150DP-T1-GE3 Hakkında
SIJ150DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 45V drain-source gerilimi ve 30.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile enerji yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketle sunulan bileşen, 2.83mΩ düşük on-resistance değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 70nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. DC-DC konvertörler, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.9A (Ta), 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.83mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok