Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW73N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW73N60E
SIHW73N60E-GE3 Hakkında
SIHW73N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 73A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 39mOhm ile düşük on-resistance değerine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve switched-mode güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 520W maksimum güç dağılımını destekler. Through-hole montajı ile PCB'ye entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 362 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7700 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok