Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW61N65EF
SIHW61N65EF-GE3 Hakkında
SIHW61N65EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 64A sürekli drain akımı kapasitesi ve TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini üstlenir. 47mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 520W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile ağır yük uygulamalarında kullanılabilir. Endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, yüksek voltaj güç kaynakları ve anahtarlamalı güç sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında istikrarlı performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 371 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7407 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 30.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok