Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW47N65E
SIHW47N65E-GE3 Hakkında
Vishay SIHW47N65E-GE3, 650V drain-source gerilimi ve 47A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 72mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevlerinde, güç dönüştürücülerinde, invertörlerde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 417W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile endüstriyel ve elektrik tasarımı uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5682 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok