Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW47N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW47N60E
SIHW47N60E-GE3 Hakkında
SIHW47N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-247AD paketinde sunulan bu bileşen, 47A sürekli dren akımı kapasitesi ve 64mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 220nC gate charge ve 9620pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj cihazları ve güç inverterleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok