Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW33N60E
SIHW33N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHW33N60E-GE3, 600V 33A N-Channel MOSFET transistördür. TO-247AD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 99mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 278W güç dağıtabilir. Endüstriyel denetim devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate Charge değeri 150nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok