Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW30N60E
SIHW30N60E-GE3 Hakkında
SIHW30N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247AD paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 130nC olup, 250W maksimum güç dağıtımını tolere edebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Elektrik kaynakları, motor sürücüleri, switched-mode power supply (SMPS), enerji dönüştürme devrelerinde ve diğer güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok