Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW23N60E
SIHW23N60E-GE3 Hakkında
SIHW23N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesine ve 23A sürekli drain akımına sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimi ile kullanılmak üzere tasarlanmıştır ve maksimum 158mOhm on-state direncine (Rds On) sahiptir. 95nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 227W güç dağıtabilir. Through-hole montaj tipine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2418 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok