Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHW21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHW21N80AE
SIHW21N80AE-GE3 Hakkında
SIHW21N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 17.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 235mOhm maksimum on-state direnci ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Gate charge değeri 72nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, adaptörler, invertörler ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 32W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetim gereksinimleri orta seviye uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1388 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok