Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU7N60E
SIHU7N60E-GE3 Hakkında
SIHU7N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüleme voltajında 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate yükü 40nC ve giriş kapasitesi 680pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 78W güç yayabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok