Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU7N60E
SIHU7N60E-E3 Hakkında
SIHU7N60E-E3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlama görevlerinde kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimalize eder. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. 40nC gate charge ve 680pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok