Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU6N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU6N80AE
SIHU6N80AE-GE3 Hakkında
SIHU6N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251AA (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 950mΩ maksimum RDS(on) direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, güç kaynakları, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde yer alır. 62.5W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±30V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok