Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU6N62E
SIHU6N62E-GE3 Hakkında
SIHU6N62E-GE3, Vishay tarafından üretilen 620V yüksek voltaj N-Channel MOSFET'tir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 6A sürekli dren akımı kapasitesine ve 900mOhm maksimum On-State direncine sahiptir. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilen komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, DC-DC konvertörlerde ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına ve 78W maksimum güç disipasyonuna sahip olması, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir bir seçim sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 578 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok