Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU5N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU5N80AE
SIHU5N80AE-GE3 Hakkında
Vishay SIHU5N80AE-GE3, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-251AA paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 4.4A sürekli dren akımı ve 1.35Ω RDS(on) değeri ile düşük kayıpla çalışır. 16.5nC gate charge ve 321pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynakları, invertörler, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 321 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok