Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU5N50D
SIHU5N50D-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHU5N50D-GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltajında 5.3A sürekli akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok