Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU4N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU4N80AE
SIHU4N80AE-GE3 Hakkında
Vishay SIHU4N80AE-GE3, 800V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 4.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1.27Ω maksimum Rds(On) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 69W güç tüketim kapasitesine sahiptir. 32nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 622 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok