Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU3N50DA-GE3
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU3N50DA
SIHU3N50DA-GE3 Hakkında
SIHU3N50DA-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 3A sürekli drenaj akımı ve 3.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V kapı sürücü voltajında çalışan cihaz, -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 69W maksimum güç dağılımı kapasitesi, enerji dönüştürme, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 4.5V kapı eşik gerilimi ile kolay kontrolü sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 177 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok