Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU3N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU3N50D
SIHU3N50D-GE3 Hakkında
SIHU3N50D-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim kapasitesi ve 3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen SIHU3N50D-GE3, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrolü gerektiren devre tasarımlarında kullanılır. Gate charge değeri 12 nC olup, 69W maksimum güç yayınlama kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok