Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHU2N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHU2N80AE
SIHU2N80AE-GE3 Hakkında
SIHU2N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251AA (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 2.9Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 62.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile çeşitli güç yönetimi uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok