Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHS90N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-274AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHS90N65E
SIHS90N65E-GE3 Hakkında
SIHS90N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V Drain-Source voltajı ve 87A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-274AA (SUPER-247) paketinde sunulan bu bileşen, 29mOhm maksimum gate-source direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen SIHS90N65E-GE3, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 625W maksimum güç tüketimi kabiliyeti ile enerji dönüşüm uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 87A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 591 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11826 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-274AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | SUPER-247™ (TO-274AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok