Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHS90N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SIHS90N65E

SIHS90N65E-E3 Hakkında

SIHS90N65E-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim, 87A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket ile monte edilir. Bu transistör, güç dönüştürme devreleri, enerji dağıtım sistemleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır. 625W maksimum güç tüketimi ile yoğun iş yüklerine dayanıklıdır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. RDS(on) değeri 29mΩ (45A, 10V) olarak belirtilmiştir. Gate charge 591nC ve input capacitance 11826pF özelikleri vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 87A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11826 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package SUPER-247™ (TO-274AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok