Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP8N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP8N50D
SIHP8N50D-GE3 Hakkında
SIHP8N50D-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220AB paketinde sunulan bu komponent, 8.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 850mOhm maksimum RDS(on) değeriyle kapatma direnci oldukça düşüktür. Gate şarj kapasitesi 30nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans gösterir. Güç dönüştürme, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri, yüksek voltajlı anahtar uygulamaları ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 156W maksimum güç tüketimi ile tasarlandığından ısıl yönetim gerektirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 527 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok