Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP8N50D
SIHP8N50D-E3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP8N50D-E3, 500V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 8.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 156W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor kontrol devrelerinde ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve düşük Rds(on) değeri (850mOhm) ile verimli performans sağlar. 30nC gate charge ve 527pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama ve kontrol imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 527 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok