Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP6N80E
SIHP6N80E-GE3 Hakkında
SIHP6N80E-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket tipi ile yapılandırılmış olan bu bileşen, 5.4A sürekli drain akımı ve 940mOhm maksimum gate kapalı durumu direnci ile çalışır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C arasındaki sıcaklık ortamlarında kullanılabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel motor kontrol devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. 78W maksimum güç harcaması ile termal tasarımda dikkate alınması gereken bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 827 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 940mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok