Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP6N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP6N80AE
SIHP6N80AE-GE3 Hakkında
SIHP6N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, özellikle endüstriyel sürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 950mΩ RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Through-hole montajı ile standart PCB proseslerine kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok