Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP6N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP6N40D
SIHP6N40D-GE3 Hakkında
SIHP6N40D-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 400V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve indüktif yüklerin kontrol edildiği endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±30V gate voltajı toleransı ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile devrelerde esnek kullanım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 311 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok