Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP690N60E
SIHP690N60E-GE3 Hakkında
SIHP690N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source geriliminde 6.4A sürekli akım kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 700mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 12nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği sunarken, 347pF input kapasitansı kontrollü anahtarlama performansı verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 347 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok