Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP4N80E
SIHP4N80E-GE3 Hakkında
Vishay SIHP4N80E-GE3, 800V drain-source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler ve 4.3A sürekli drenaj akımı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 1.27Ohm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile +150°C arasındaki sıcaklık aralığında stabil çalışır ve 69W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Yüksek gerilim uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, şalter devrelerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur. 32nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 622 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok