Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHP38N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SIHP38N60EF

SIHP38N60EF-GE3 Hakkında

SIHP38N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 40A sürekli drenaj akımı ve maksimum 70mOhm Rds(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 189 nC olan bu transistör, anahtarlama hızı gerektiren endüstriyel konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında yer alır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C arasında) sayesinde zorlu ortamlarda da kullanıma uygundur. Maksimum 313W güç tüketimi ile yüksek akım uygulamaları destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3576 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 23.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok