Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP35N60EF
SIHP35N60EF-GE3 Hakkında
SIHP35N60EF-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 32A sürekli dren akımı ve 97mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. ±30V gate gerilim toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, güç dönüştürme, endüstriyel sürücü devreleri, UPS sistemleri ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 250W maksimum güç saçma kapasitesi ve 134nC gate charge değeri, verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2568 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok