Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP28N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP28N65EF
SIHP28N65EF-GE3 Hakkında
Vishay SIHP28N65EF-GE3, 650V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistörüdür. 28A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 117mOhm maksimum on-state direncine (Rds On) ve 250W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Gatet gerilimi ±30V olup, eşik gerilimi 4V @ 250µA'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3249 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok