Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP28N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP28N65E
SIHP28N65E-GE3 Hakkında
SIHP28N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 112mΩ (10V, 14A) on-state direnci ile verimli güç dağıtımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Enerji dönüşüm devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve koruma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 250W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3405 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok