Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP24N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP24N80AEF
SIHP24N80AEF-GE3 Hakkında
SIHP24N80AEF-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 195mΩ maksimum RDS(on) değeri ile ısıl yönetim gerektiren güç elektronik devrelerinde tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarına uyarlanabilirliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1889 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok