Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP24N80AE
SIHP24N80AE-GE3 Hakkında
SIHP24N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 21A sürekli drain akımı kapasitesiyle ve 184mΩ'luk on-resistance değeriyle tasarlanmıştır. ±30V gate voltaj aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. 208W maksimum güç tüketimine sahip bu MOSFET, 89nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç dönüştürme uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, inverter devreleri, motor kontrolü ve yüksek voltajlı anahtar uygulamalarında kullanılan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1836 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok