Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP24N65E
SIHP24N65E-E3 Hakkında
SIHP24N65E-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drenaj-kaynak gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, UPS sistemleri ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yer alır. 145mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2740 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok