Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHP22N60S-E3

MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SIHP22N60S

SIHP22N60S-E3 Hakkında

SIHP22N60S-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 190mΩ (10V, 11A'de) RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. 110nC gate charge ve düşük giriş kapasitanslı (2810pF @ 25V) yapısı ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir. SMPS (Switched Mode Power Supply), inverter devreleri, motor kontrol ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj özelliği ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2810 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok