Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP22N60EL
SIHP22N60EL-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP22N60EL-GE3, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 21A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220AB paketinde sunulan bu transistör, 197mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Güç kaynakları, şarj cihazları, UPS sistemleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 74nC gate charge ve düşük input kapasitansı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 197mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok