Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP22N60E
SIHP22N60E-E3 Hakkında
SIHP22N60E-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drenaj-kaynak geriliminde 21A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 180mOhm maksimum RDS(on) değeriyle verimlilikleri önemli uygulamalarda kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C arasında) işletim yapabilir. Endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve şarj yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 227W güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güç işleme gerektiren sistemlerde yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1920 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok