Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP22N60AEL
SIHP22N60AEL-GE3 Hakkında
Vishay SIHP22N60AEL-GE3, 600V xüksək gərginlik dərəcəsi ilə N-Channel MOSFET transistördür. 21A davamlı drain akımı, 180mΩ maksimum on-state direnci və 208W maksimum güç saçılması ilə yüksek enerji uygulamaları için tasarlanmıştır. 10V gate drive voltajında çalışan bu FET, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, UPS sistemleri, motor kontrolörleri ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TO-220 paketinde üretilen bu bileşen, yüksek voltaj ve akım handling gerektiren uygulamalarda tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1757 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok