Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP22N60AE
SIHP22N60AE-GE3 Hakkında
Vishay SIHP22N60AE-GE3, 600V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 25°C sıcaklıkta 20A sürekli dren akımı ve 179W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate voltaj uygulandığında 180mOhm üzerinde drenaj-kaynak direnci (RDS ON) değerine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde monte edilen bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü görevlerinde, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1451 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok