Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP21N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP21N80AEF
SIHP21N80AEF-GE3 Hakkında
Vishay SIHP21N80AEF-GE3, 800V drain-source voltajına dayanıklı N-Channel Power MOSFET'tir. 16.3A sürekli drain akımı kapasitesi ve 250mΩ maksimum RDS(On) değeriyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge (71nC) sayesinde endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. TO-220-3 paket tipi ile üretilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1511 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok